APT95GR65B2

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Microchip

Categoria di prodotto:

Transistor IGBT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Pacchetto/custodia:

TO-247-3

Stile di montaggio:

Foro passante

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

650 V

Tensione massima dell'emettitore di gate:

30 V

Corrente continua del collettore a 25 C:

208 A

Pd - Dissipazione di potenza:

892 W

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Confezione:

Tubo

Corrente continua del collettore Ic Max:

208 A

Marca:

Microchip / Microsemi

Corrente di dispersione gate-emettitore:

+/- 250 nA

Tipologia di prodotto:

Transistor IGBT

Quantità confezione di fabbrica:

1

sottocategoria:

IGBT

Unità di peso:

0.211644 oz

Tags

APT9, APT