IRF640NSTRRPBF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

D2PAK-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

200 V

Id - Corrente di scarico continua:

18 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

150 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

4 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

44.7 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

150 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

2.3 mm

Lunghezza:

6.5 mm

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

MOSFET di potenza HEXFET

Larghezza:

6.22 mm

Marca:

Infineon / IR

Transconduttanza diretta - Min:

6.8 S

Tempo di caduta:

5.5 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

19 ns

Quantità confezione di fabbrica:

800

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

23 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

10 ns

Parte # Alias:

SP001561802

Unità di peso:

0.139332 oz

Tags

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