CSD25201W15

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Texas Instruments

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

DSBGA-9

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

4 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

33 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

6 V

Qg - Carica cancello:

4.3 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.5 W

Configurazione:

Separare

Nome depositato:

NexFET

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.62 mm

Lunghezza:

1.5 mm

Serie:

CSD25201W15

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Larghezza:

1.5 mm

Marca:

Texas Instruments

Transconduttanza diretta - Min:

12 S

Tempo di caduta:

38 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

11 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

51 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

9.5 ns

Tags

CSD2520, CSD252, CSD25, CSD2, CSD