GA01PNS80-220

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore GeneSiC

Categoria di prodotto:

Diodi PIN

RoHS:

Y

Vr - Tensione inversa:

8 kV

Capacità massima del diodo:

26 pF

Resistenza in serie massima @ IF massima:

-

Se - Corrente diretta:

2 A

Vf - Tensione diretta:

6.1 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

11.18 mm x 9.14 mm x 6.35 mm

Serie:

GA01PNS

Confezione:

Tubo

Configurazione:

Separare

Altezza:

6.35 mm

Lunghezza:

11.18 mm

Stile di terminazione:

Foro passante

Tipo:

Diodo PIN al silicio

Larghezza:

9.14 mm

Marca:

Semiconduttore GeneSiC

Ir - Corrente inversa:

4 uA

Tipologia di prodotto:

Diodi PIN

Quantità confezione di fabbrica:

10

sottocategoria:

Diodi e raddrizzatori

Tags

GA01P, GA01, GA0