DMN3010LSS-13

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SO-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

16 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

9 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2.5 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.5 mm

Lunghezza:

5.3 mm

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Serie:

DMN3010

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

4.1 mm

Marca:

Diodi incorporati

Tempo di caduta:

27 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

8 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

45 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

5.6 ns

Unità di peso:

0.030018 oz

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DMN3010LS, DMN3010, DMN301, DMN30, DMN3, DMN