IRF7757TRPBF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TSSOP-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

4.8 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

35 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

12 V

Qg - Carica cancello:

15 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.2 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.2 mm

Lunghezza:

4.4 mm

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Larghezza:

3 mm

Marca:

Infineon / IR

Transconduttanza diretta - Min:

11 S

Tempo di caduta:

14 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

9.2 ns

Quantità confezione di fabbrica:

4000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

36 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

9.5 ns

Parte # Alias:

SP001566434

Unità di peso:

0.005573 oz

Tags

IRF7757, IRF775, IRF77, IRF7, IRF