FGA25N120FTD

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor IGBT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Pacchetto/custodia:

TO-3PN-3

Stile di montaggio:

Foro passante

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

1200 V

Tensione massima dell'emettitore di gate:

25 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Confezione:

Tubo

Corrente continua del collettore Ic Max:

50 A

Altezza:

18.9 mm

Lunghezza:

15.8 mm

Larghezza:

5 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Tipologia di prodotto:

Transistor IGBT

Quantità confezione di fabbrica:

30

sottocategoria:

IGBT

Unità di peso:

0.225789 oz

Tags

FGA25N12, FGA25N, FGA25, FGA2, FGA