SQJ204EP-T1_GE3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Vishay

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

PowerPAK-SO-8L-4

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

12 V

Id - Corrente di scarico continua:

20 A, 60 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

3 mOhms, 8.3 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

500 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

12 V

Qg - Carica cancello:

20 nC, 50 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

27 W, 48 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

SQ

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconduttanza diretta - Min:

38 S, 66 S

Tempo di caduta:

5 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

5 ns, 27 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

22 ns, 34 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

10 ns, 17 ns

Tags

SQJ20, SQJ2, SQJ