SI4952DY-T1-E3

SI4952DY-T1-E3
Mfr. #:
SI4952DY-T1-E3
Produttore:
Vishay
Descrizione:
RF Bipolar Transistors MOSFET 25V 8.0A 2.8W
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
SI4952DY-T1-E3 Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore
Vishay Siliconix
categoria di prodotto
FET - Array
Serie
TrinceaFETR
Confezione
Nastro e bobina (TR)
Alias ​​parziali
SI4952DY-E3
Unità di peso
0.006596 oz
Stile di montaggio
SMD/SMT
Pacchetto-Custodia
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tecnologia
si
Temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Montaggio superficiale
Numero di canali
2 Channel
Pacchetto-dispositivo-fornitore
8-SO
Configurazione
Dual
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Potenza-Max
2.8W
Tipo a transistor
2 N-Channel
Drain-to-Source-Voltage-Vdss
25V
Ingresso-Capacità-Ciss-Vds
680pF @ 13V
Funzione FET
Porta livello logico
Corrente-Continuo-Scarico-Id-25°C
8A
Rds-On-Max-Id-Vgs
23 mOhm @ 7A, 10V
Vgs-th-Max-Id
2.2V @ 250μA
Gate-Carica-Qg-Vgs
18nC @ 10V
Pd-Power-Dissipazione
1.8 W
Massima temperatura di esercizio
+ 150 C
Temperatura di esercizio minima
- 55 C
Tempo di caduta
50 ns
Ora di alzarsi
50 ns
Vgs-Gate-Source-Voltage
16 V
Id-Continuo-Scarico-Corrente
7 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
25 V
Rds-On-Drain-Source-Resistenza
23 mOhms
Polarità del transistor
Canale N
Tempo di ritardo allo spegnimento tipico
20 ns
Tempo di ritardo all'accensione tipico
15 ns
Modalità canale
Aumento
Tags
SI4952DY-T, SI4952D, SI4952, SI495, SI49, SI4
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Packaging Boxes
***et Europe
Trans MOSFET N-CH 25V 7A 8-Pin SOIC N T/R
***i-Key
MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
SI4952DY-T1-E3
DISTI # SI4952DY-T1-E3-ND
Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Tape & Reel (TR)
Limited Supply - Call
    SI4952DY-T1-E3
    DISTI # 781-SI4952DY-E3
    Vishay IntertechnologiesMOSFET 25V 8.0A 2.8W
    RoHS: Compliant
    0
      SI4952DY-T1-E3Vishay Siliconix 1226
        Immagine Parte # Descrizione
        SI4952DY-T1-GE3

        Mfr.#: SI4952DY-T1-GE3

        OMO.#: OMO-SI4952DY-T1-GE3

        MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4214DDY-GE3
        SI4952DY-T1-E3

        Mfr.#: SI4952DY-T1-E3

        OMO.#: OMO-SI4952DY-T1-E3

        MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4214DDY-GE3
        SI4952DY-T1-E3

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        OMO.#: OMO-SI4952DY-T1-E3-VISHAY

        RF Bipolar Transistors MOSFET 25V 8.0A 2.8W
        SI4952DY-T1-GE3

        Mfr.#: SI4952DY-T1-GE3

        OMO.#: OMO-SI4952DY-T1-GE3-VISHAY

        RF Bipolar Transistors MOSFET Dual N-Ch MOSFET 25V 23mohm @ 10V
        SI4952DY

        Mfr.#: SI4952DY

        OMO.#: OMO-SI4952DY-1190

        Nuovo e originale
        SI4952DY-T1

        Mfr.#: SI4952DY-T1

        OMO.#: OMO-SI4952DY-T1-1190

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