SI4425FDY-T1-GE3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Vishay

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

E

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SO-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

- 30 V

Id - Corrente di scarico continua:

- 18.3 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

7.7 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

- 2.2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

- 20 V, + 16 V

Qg - Carica cancello:

27 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

TrenchFET

Confezione:

Bobina

Marca:

Vishay / Siliconix

Tempo di caduta:

23 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

48 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

29 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

22 ns

Tags

SI4425, SI442, SI44, SI4