NX3020NAKV,115

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Nexperia

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-666-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

200 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

4.5 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

800 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

0.34 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

375 mW

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Marca:

Nexperia

Transconduttanza diretta - Min:

320 mS

Tempo di caduta:

17 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

5 ns

Quantità confezione di fabbrica:

4000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

34 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

5 ns

Unità di peso:

0.000095 oz

Tags

NX3020NAKV, NX3020, NX302, NX30, NX3