IRF6641TR1PBF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

DirectFET-MZ

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

200 V

Id - Corrente di scarico continua:

4.6 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

51 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

4.9 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

34 nC

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

89 W

Configurazione:

Separare

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.7 mm

Lunghezza:

6.35 mm

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

5.05 mm

Marca:

Infineon / IR

Transconduttanza diretta - Min:

13 S

Tempo di caduta:

6.5 ns

Sensibile all'umidità:

sì

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

11 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

MOSFET

Parte # Alias:

SP001563484

Unità di peso:

0.008713 oz

Tags

IRF6641, IRF664, IRF66, IRF6, IRF