CGHV60040D

CGHV60040D
Mfr. #:
CGHV60040D
Produttore:
N/A
Descrizione:
RF JFET Transistors DC-6GHz 40W GaN 50Volt
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
CGHV60040D Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Maggiori informazioni:
CGHV60040D maggiori informazioni
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore
Cree/Wolfspeed
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Confezione
Confezione di gel
Stile di montaggio
SMD/SMT
Intervallo operativo di temperatura
-
Pacchetto-Custodia
nudo morire
Tecnologia
GaN SiC
Configurazione
Dual
Tipo a transistor
HEMT
Guadagno
18 dB
Classe
-
Potenza di uscita
40 W
Pd-Power-Dissipazione
-
Massima temperatura di esercizio
-
Temperatura di esercizio minima
-
Applicazione
-
Frequenza operativa
6 GHz
Id-Continuo-Scarico-Corrente
3.2 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
50 V
Vgs-th-Gate-Sorgente-Soglia-Tensione
-
Rds-On-Drain-Source-Resistenza
-
Polarità del transistor
Canale N
Transconduttanza diretta-Min
-
Kit di sviluppo
-
Vgs-Gate-Source-Breakdown-Voltage
-
Gate-Sorgente-Tensione di interruzione
-
Tensione massima-Drain-Gate
-
Figura di rumore NF
-
P1dB-Punto di compressione
-
Tags
CGHV600, CGHV6, CGHV, CGH
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GaN HEMTs
Cree GaN (Gallium Nitride) HEMTs (High Electron Mobility Transistors) offers greater power density and wider bandwidths compared to Si and GaAs transistors. GaN has superior properties compared to silicon or gallium arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity.
CGHV600 6GHz GaN HEMTs
Wolfspeed CGHV600 6GHz gallium nitride (GaN) High Electron Mobility Transistors (HEMTs) provide superior performance compared with silicon (Si) or gallium arsenide (GaAs) transistors. CGHV600 GaN HEMTs offer higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity. These transistors also offer greater power density and wider bandwidths. CGHV600 series devices are ideal for use in a variety of applications, including cellular infrastructure and Class A, AB, and linear amplifiers.Learn More
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
CGHV60040D-GP4
DISTI # CGHV60040D-GP4-ND
WolfspeedRF MOSFET HEMT 50V DIE
RoHS: Compliant
Min Qty: 10
Container: Tray
550In Stock
  • 10:$42.3360
CGHV60040D
DISTI # 941-CGHV60040D
Cree, Inc.RF JFET Transistors GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 40 Watt
RoHS: Compliant
200
  • 10:$42.3400
Immagine Parte # Descrizione
CGHV60040D

Mfr.#: CGHV60040D

OMO.#: OMO-CGHV60040D

RF JFET Transistors GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 40 Watt
CGHV60075D5

Mfr.#: CGHV60075D5

OMO.#: OMO-CGHV60075D5

RF JFET Transistors GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 75 Watt
CGHV60170D

Mfr.#: CGHV60170D

OMO.#: OMO-CGHV60170D

RF JFET Transistors GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 170 Watt
CGHV60040D-GP4

Mfr.#: CGHV60040D-GP4

OMO.#: OMO-CGHV60040D-GP4-WOLFSPEED

RF MOSFET HEMT 50V DIE
CGHV60075D5-GP4

Mfr.#: CGHV60075D5-GP4

OMO.#: OMO-CGHV60075D5-GP4-WOLFSPEED

RF POWER TRANSISTOR
CGHV60170D-GP4

Mfr.#: CGHV60170D-GP4

OMO.#: OMO-CGHV60170D-GP4-WOLFSPEED

RF MOSFET HEMT 50V DIE
CGHV60040D

Mfr.#: CGHV60040D

OMO.#: OMO-CGHV60040D-318

RF JFET Transistors DC-6GHz 40W GaN 50Volt
CGHV60170D

Mfr.#: CGHV60170D

OMO.#: OMO-CGHV60170D-318

RF JFET Transistors DC-6GHz 170W GaN 50Volt
CGHV60075D5

Mfr.#: CGHV60075D5

OMO.#: OMO-CGHV60075D5-318

RF JFET Transistors 6.0GHz 75 Watt GaN Gain 17dB typ. 50V
CGHV60075D

Mfr.#: CGHV60075D

OMO.#: OMO-CGHV60075D-318

RF JFET Transistors 6.0GHz 75 Watt GaN Gain 17dB typ. 50V
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Available
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Quantità
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1
58,77 USD
58,77 USD
10
55,83 USD
558,31 USD
100
52,89 USD
5 289,30 USD
500
49,95 USD
24 977,25 USD
1000
47,02 USD
47 016,00 USD
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