CGHV60170D

CGHV60170D
Mfr. #:
CGHV60170D
Produttore:
N/A
Descrizione:
RF JFET Transistors GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 170 Watt
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
CGHV60170D Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Maggiori informazioni:
CGHV60170D maggiori informazioni
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
Qorvo
Categoria di prodotto:
Transistor RF JFET
RoHS:
Y
Tecnologia:
GaN SiC
Vds - Tensione di rottura Drain-Source:
32 V
Vgs - Tensione di rottura gate-source:
100 V
Pd - Dissipazione di potenza:
45 W
Stile di montaggio:
SMD/SMT
Confezione:
Vassoio
Configurazione:
Separare
Altezza:
4.064 mm
Lunghezza:
9.652 mm
Larghezza:
5.842 mm
Marca:
Qorvo
Tensione di interruzione gate-source:
- 2.9 V
Sensibile all'umidità:
Tipologia di prodotto:
Transistor RF JFET
Quantità confezione di fabbrica:
50
sottocategoria:
transistor
Parte # Alias:
1092444
Tags
CGHV6, CGHV, CGH
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***i-Key
RF MOSFET HEMT 50V DIE
GaN HEMTs
Cree GaN (Gallium Nitride) HEMTs (High Electron Mobility Transistors) offers greater power density and wider bandwidths compared to Si and GaAs transistors. GaN has superior properties compared to silicon or gallium arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity.
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
CGHV60170D-GP4
DISTI # CGHV60170D-GP4-ND
WolfspeedRF MOSFET HEMT 50V DIE
RoHS: Compliant
Min Qty: 10
Container: Tray
10In Stock
  • 10:$156.7360
CGHV60170D
DISTI # 941-CGHV60170D
Cree, Inc.RF JFET Transistors GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 170 Watt
RoHS: Compliant
40
  • 10:$156.4900
CGHV60170D-GP4
DISTI # CGHV60170D-GP4
WolfspeedRF POWER TRANSISTOR
RoHS: Compliant
0
  • 50:$156.7400
Immagine Parte # Descrizione
CGHV60040D

Mfr.#: CGHV60040D

OMO.#: OMO-CGHV60040D

RF JFET Transistors GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 40 Watt
CGHV60075D5

Mfr.#: CGHV60075D5

OMO.#: OMO-CGHV60075D5

RF JFET Transistors GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 75 Watt
CGHV60170D

Mfr.#: CGHV60170D

OMO.#: OMO-CGHV60170D

RF JFET Transistors GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 170 Watt
CGHV60040D-GP4

Mfr.#: CGHV60040D-GP4

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RF MOSFET HEMT 50V DIE
CGHV60075D5-GP4

Mfr.#: CGHV60075D5-GP4

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RF POWER TRANSISTOR
CGHV60170D-GP4

Mfr.#: CGHV60170D-GP4

OMO.#: OMO-CGHV60170D-GP4-WOLFSPEED

RF MOSFET HEMT 50V DIE
CGHV60040D

Mfr.#: CGHV60040D

OMO.#: OMO-CGHV60040D-318

RF JFET Transistors DC-6GHz 40W GaN 50Volt
CGHV60170D

Mfr.#: CGHV60170D

OMO.#: OMO-CGHV60170D-318

RF JFET Transistors DC-6GHz 170W GaN 50Volt
CGHV60075D5

Mfr.#: CGHV60075D5

OMO.#: OMO-CGHV60075D5-318

RF JFET Transistors 6.0GHz 75 Watt GaN Gain 17dB typ. 50V
CGHV60075D

Mfr.#: CGHV60075D

OMO.#: OMO-CGHV60075D-318

RF JFET Transistors 6.0GHz 75 Watt GaN Gain 17dB typ. 50V
Disponibilità
Azione:
40
Su ordine:
2023
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