SQJQ900E-T1_GE3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Vishay

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

PowerPAK-8x8L-4

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

40 V

Id - Corrente di scarico continua:

100 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

3.4 mOhms, 3.4 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

120 nC, 120 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

135 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Qualificazione:

AEC-Q101

Nome depositato:

TrenchFET

Confezione:

Bobina

Serie:

SQ

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconduttanza diretta - Min:

105 S, 105 S

Tempo di caduta:

14 ns, 14 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

7.5 ns, 7.5 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

30 ns, 30 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

14 ns, 14 ns

Tags

SQJQ90, SQJQ9, SQJQ, SQJ