MRF6VP41KHSR7

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

NXP

Categoria di prodotto:

Transistor MOSFET RF

RoHS:

Y

Polarità del transistor:

Canale N

Tecnologia:

si

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

110 V

Guadagno:

20 dB

Potenza di uscita:

200 W

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

NI-1230S-5

Confezione:

Bobina

Configurazione:

Dual

Altezza:

5.08 mm

Lunghezza:

32.38 mm

Frequenza operativa:

500 MHz

Serie:

MRF6VP41KH

Tipo:

MOSFET di potenza RF

Larghezza:

10.29 mm

Marca:

NXP / Freescale

Tipologia di prodotto:

Transistor MOSFET RF

Quantità confezione di fabbrica:

25

sottocategoria:

MOSFET

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3 V

Unità di peso:

0.299419 oz

Tags

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