SI5504BDC-T1-GE3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Vishay

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

ChipFET-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

4 A, 3.7 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

65 mOhms, 140 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

7 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

3.12 W, 3.1 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

TrenchFET

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.1 mm

Lunghezza:

3.05 mm

Serie:

SI54

Tipo di transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Larghezza:

1.65 mm

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconduttanza diretta - Min:

5 S, 3.5 S

Tempo di caduta:

25 ns, 10 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

80 ns, 60 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

12 ns, 10 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

15 ns, 30 ns

Unità di peso:

0.002998 oz

Tags

SI5504BDC-T, SI5504B, SI5504, SI550, SI55, SI5