C3M0120090D

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Cree, Inc.

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

SiC

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-247-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

900 V

Id - Corrente di scarico continua:

23 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

120 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.1 V

Qg - Carica cancello:

17.3 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

97 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Tubo

Altezza:

21.1 m

Lunghezza:

16.13 mm

Prodotto:

MOSFET di potenza

Tipo:

MOSFET al carburo di silicio

Larghezza:

5.21 mm

Marca:

Wolfspeed / Cree

Tempo di caduta:

8 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

10 ns

Quantità confezione di fabbrica:

30

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

25 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

27 ns

Unità di peso:

1.340411 oz

Tags

C3M01200, C3M01, C3M0, C3M