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C2M0160120D

C2M0160120D
Mfr. #:
C2M0160120D
Produttore:
N/A
Descrizione:
MOSFET N-CH 1200V 19A TO-247
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
C2M0160120D Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Maggiori informazioni:
C2M0160120D maggiori informazioni
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore
CREE
categoria di prodotto
FET - Single
Serie
Z-FET
Confezione
Tubo
Unità di peso
1.340411 oz
Stile di montaggio
Foro passante
Pacchetto-Custodia
TO-247-3
Tecnologia
SiC
Temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Foro passante
Numero di canali
1 Channel
Pacchetto-dispositivo-fornitore
TO-247-3
Configurazione
Separare
Tipo FET
MOSFET N-Channel, ossido di metallo
Potenza-Max
125W
Tipo a transistor
1 N-Channel
Drain-to-Source-Voltage-Vdss
1200V (1.2kV)
Ingresso-Capacità-Ciss-Vds
527pF @ 800V
Funzione FET
Carburo di silicio (SiC)
Corrente-Continuo-Scarico-Id-25°C
17.7A (Tc)
Rds-On-Max-Id-Vgs
196 mOhm @ 10A, 20V
Vgs-th-Max-Id
2.5V @ 500μA
Gate-Carica-Qg-Vgs
32.6nC @ 20V
Pd-Power-Dissipazione
125 W
Massima temperatura di esercizio
+ 150 C
Temperatura di esercizio minima
- 55 C
Tempo di caduta
7 ns
Ora di alzarsi
12 ns
Vgs-Gate-Source-Voltage
- 10 V + 25 V
Id-Continuo-Scarico-Corrente
17.7 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
1200 V
Vgs-th-Gate-Sorgente-Soglia-Tensione
2.5 V
Rds-On-Drain-Source-Resistenza
160 mOhms
Polarità del transistor
Canale N
Tempo di ritardo allo spegnimento tipico
13 ns
Tempo di ritardo all'accensione tipico
7 ns
Qg-Gate-Carica
32.6 nC
Transconduttanza diretta-Min
4.1 S
Modalità canale
Aumento
Tags
C2M0, C2M
Service Guarantees

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Quality Guarantees

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Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ical
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 19A 3-Pin(3+Tab) TO-247
***p One Stop Global
Trans MOSFET N-CH 12V 17.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247
***ark
SIC MOSFET, N CHANNEL, 1.2KV, 17.7A, TO-247-3
***ment14 APAC
SIC MOSFET, N-CH, 1.2KV, 17.7A, TO-247-3
***Components
N-CHANNEL SIC MOSFET 1.2KV 19A TO247
***i-Key
MOSFET N-CH 1200V 17.7A TO-247
***hardson RFPD
SILICON CARBIDE POWER TRANSISTORS/MODULES
Wolfspeed C2M™ SiC Power MOSFETs
Wolfspeed C2M family of Silicon Carbide Power MOSFETs provide engineers a wide range of 1200V and 1700V SiC MOSFETs. Wolfspeed SiC MOSFETs enable engineers to replace silicon transistors (IGBTs) and develop high-voltage circuits with extremely fast switching speeds and ultra-low switching losses. Used in conjunction with Wolfspeed SiC Schottky diodes in an all-SiC system, the C2M SiC MOSFET allows design engineers to achieve levels of energy efficiency, size, and weight reduction that are not possible with available silicon power devices of comparable ratings. The new C2M family of MOSFETs is based on a rugged and reliable Gen2 SiC technology platform, providing the lowest switching losses in their class. The C2M significantly higher switching frequencies, all at lower cost. This revolutionary series also reduces the size of magnetics and filter components and significantly reduces cooling requirements.Learn more
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
C2M0160120D
DISTI # V99:2348_06265416		Cree, Inc.Trans MOSFET N-CH SiC 12V 17.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247
RoHS: Compliant		600
  • 1:$8.2769
C2M0160120D
DISTI # C2M0160120D-ND		WolfspeedMOSFET N-CH 1200V 19A TO-247
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tube		5462In Stock
  • 1:$8.7500
C2M0160120D
DISTI # 31274971		Cree, Inc.Trans MOSFET N-CH SiC 12V 17.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247
RoHS: Compliant		600
  • 1:$8.2769
C2M0160120D
DISTI # 98Y6012		WolfspeedMOSFET, N-CH, 1.2KV, 19A, TO-247,Transistor Polarity:N Channel,Continuous Drain Current Id:19A,Drain Source Voltage Vds:1.2kV,On Resistance Rds(on):0.16ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:20V,Threshold Voltage Vgs:2.6V,Power , RoHS Compliant: Yes840
  • 1:$9.2300
C2M0160120D
DISTI # 08X3830		WolfspeedSIC MOSFET, N CHANNEL, 1.2KV, 17.7A, TO-247-3,Transistor Polarity:N Channel,Continuous Drain Current Id:17.7A,Drain Source Voltage Vds:1.2kV,On Resistance Rds(on):0.16ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:20V,Threshold Voltage Vgs:2.5V RoHS Compliant: Yes600
  • 1:$9.2300
C2M0160120D
DISTI # 941-C2M0160120D		Cree, Inc.MOSFET SIC MOSFET 1200V RDS ON 160 mOhm
RoHS: Compliant		1884
  • 1:$8.3300
C2M0160120D
DISTI # 9047348		Cree, Inc.N-CHANNEL SIC MOSFET 1.2KV 19A TO247, EA65
  • 1:£6.5300
  • 5:£6.3300
  • 10:£6.2000
  • 30:£6.0800
  • 60:£5.9600
C2M0160120D
DISTI # 9047348P		Cree, Inc.N-CHANNEL SIC MOSFET 1.2KV 19A TO247, TU636
  • 5:£6.3300
  • 10:£6.2000
  • 30:£6.0800
  • 60:£5.9600
C2M0160120D
DISTI # C2M0160120D		WolfspeedTransistor: N-MOSFET,SiC,unipolar,1.2kV,17.7A,125W,TO247-36
  • 1:$15.8700
  • 3:$13.4200
  • 10:$10.6000
  • 30:$9.8700
C2M0160120D
DISTI # C2M0160120D		WolfspeedSILICON CARBIDE POWER TRANSISTORS/MODULES
RoHS: Compliant		115107
  • 1:$7.4900
  • 50:$7.2500
C2M0160120D
DISTI # 2630830		WolfspeedMOSFET, N-CH, 1.2KV, 19A, TO-247
RoHS: Compliant		866
  • 1:£7.1200
  • 5:£6.5500
  • 10:£6.4200
  • 50:£6.3600
  • 100:£6.3500
C2M0160120D
DISTI # 2630830		WolfspeedMOSFET, N-CH, 1.2KV, 19A, TO-247
RoHS: Compliant		840
  • 1:$13.5300
Immagine Parte # Descrizione
C2M0160120D

Mfr.#: C2M0160120D

OMO.#: OMO-C2M0160120D

 MOSFET SIC MOSFET 1200V RDS ON 160 mOhm
C2M0160120

Mfr.#: C2M0160120

OMO.#: OMO-C2M0160120-1190

 Nuovo e originale
C2M0160120D

Mfr.#: C2M0160120D

OMO.#: OMO-C2M0160120D-WOLFSPEED

 MOSFET N-CH 1200V 19A TO-247
Disponibilità
Azione:
Available
Su ordine:
5500
Inserisci la quantità:
Il prezzo attuale di C2M0160120D è solo di riferimento, se si desidera ottenere il prezzo migliore, inviare una richiesta o inviare un'e-mail diretta al nostro team di vendita [email protected]
Prezzo di riferimento (USD)
Quantità
Prezzo unitario
est. Prezzo
1
10,88 USD
10,88 USD
10
10,33 USD
103,31 USD
100
9,79 USD
978,75 USD
500
9,24 USD
4 621,90 USD
1000
8,70 USD
8 700,00 USD
A causa della scarsità di semiconduttori dal 2021, il prezzo inferiore è il prezzo normale prima del 2021. Si prega di inviare informazioni per confermare.
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