2N5951

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor RF JFET

RoHS:

Y

Tipo di transistor:

JFET

Tecnologia:

si

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

15 V

Vgs - Tensione di rottura gate-source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

13 mA

Tensione massima della porta di drenaggio:

30 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

350 mW

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-92-3

Confezione:

Massa

Configurazione:

Separare

Altezza:

5.33 mm

Lunghezza:

5.2 mm

Prodotto:

RF JFET

Tipo:

JFET

Larghezza:

4.19 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Tensione di interruzione gate-source:

2 V to 5 V

Tipologia di prodotto:

Transistor RF JFET

Quantità confezione di fabbrica:

2000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.007090 oz

Tags

2N5951, 2N595, 2N59, 2N5