2N5193

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore centrale

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-126-3

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

40 V

Collettore-tensione di base VCBO:

40 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

1.4 V

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

2 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

2N5193

Guadagno di corrente CC hFE Max:

100

Confezione:

Massa

Marca:

Semiconduttore centrale

Corrente continua del collettore:

4 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

10

Pd - Dissipazione di potenza:

40 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

2N5193 PBFREE

Tags

2N519, 2N51, 2N5