IXTA260N055T2-7

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-263-7

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

55 V

Id - Corrente di scarico continua:

260 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

3.3 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

4 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

140 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

480 W

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

HiPerFET

Confezione:

Tubo

Altezza:

4.7 mm

Lunghezza:

9.4 mm

Serie:

IXTA260N055

Tipo:

TrenchT2 Power MOSFET

Larghezza:

10.2 mm

Marca:

IXYS

Transconduttanza diretta - Min:

55 S

Tempo di caduta:

24 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

27 ns

Quantità confezione di fabbrica:

50

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

36 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

20 ns

Unità di peso:

0.056438 oz

Tags

IXTA26, IXTA2, IXTA, IXT