SiZ328DT-T1-GE3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Vishay

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

PowerPAIR-3x3-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

25 V

Id - Corrente di scarico continua:

25.3 A, 30 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

10 mOhms, 15 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

- 12 V, 16 V

Qg - Carica cancello:

6.9 nC, 11.3 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

16.2 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

TrenchFET, PowerPAIR

Confezione:

Bobina

Serie:

TAGLIA

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconduttanza diretta - Min:

25 S, 42 S

Tempo di caduta:

5 ns, 5 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

5 ns, 11 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

12 ns, 15 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

7 ns, 8 ns

Tags

SiZ32, SiZ3, SiZ