NTGD3149CT1G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TSOP-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

3.5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

60 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

8 V

Qg - Carica cancello:

4.6 nC, 5.2 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

900 mW

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.94 mm

Lunghezza:

3 mm

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Tipo di transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Larghezza:

1.5 mm

Marca:

ON Semiconductor

Transconduttanza diretta - Min:

4.7 S, 5.1 S

Tempo di caduta:

2.4 ns 29.5 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

3.8 nS, 5.3 nS

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

16.4 nS, 33.3 nS

Tempo di ritardo di accensione tipico:

6.5 nS, 7 nS

Unità di peso:

0.000705 oz

Tags

NTGD314, NTGD3, NTGD, NTG