NTGD3148NT1G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TSOP-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

3.5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

70 mOhms, 70 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

500 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

4.5 V

Qg - Carica cancello:

3.8 nC, 3.8 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 50 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.1 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.94 mm

Lunghezza:

3 mm

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Tipo:

MOSFET a trincea di potenza

Larghezza:

1.5 mm

Marca:

ON Semiconductor

Transconduttanza diretta - Min:

6.2 S, 6.2 S

Tempo di caduta:

1.6 ns, 1.6 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

11.2 ns, 11.2 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

12.8 ns, 12.8 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

7.4 ns, 7.4 ns

Unità di peso:

0.000705 oz

Tags

NTGD314, NTGD3, NTGD, NTG