BUL1203E

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

STMicroelectronics

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-220-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

550 V

Collettore-tensione di base VCBO:

1.2 kV

Emettitore-tensione di base VEBO:

9 V

Corrente massima del collettore CC:

5 A

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

BUL1203E

Altezza:

9.15 mm (Max)

Lunghezza:

10.4 mm (Max)

Confezione:

Tubo

Larghezza:

4.6 mm (Max)

Marca:

STMicroelectronics

Pd - Dissipazione di potenza:

100000 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.081130 oz

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