BUL1102EFP

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

STMicroelectronics

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-220FP-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

450 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

12 V

Corrente massima del collettore CC:

4 A

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

BUL1102E

Altezza:

16.4 mm

Lunghezza:

10.4 mm

Confezione:

Tubo

Larghezza:

4.6 mm

Marca:

STMicroelectronics

Corrente continua del collettore:

4 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

35 at 250 mA, 5 V, 12 at 2 A, 5 V

Pd - Dissipazione di potenza:

30 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.090478 oz

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BUL1102E, BUL110, BUL11, BUL1, BUL