PHE13009,127

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

WeEn Semiconduttori

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-220AB-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

400 V

Collettore-tensione di base VCBO:

700 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

0.32 V

Corrente massima del collettore CC:

12 A

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

40

Altezza:

9.4 mm

Lunghezza:

10.3 mm

Larghezza:

4.7 mm

Marca:

WeEn Semiconduttori

Guadagno base/collettore DC hfe min:

8

Pd - Dissipazione di potenza:

80 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

934055576127

Unità di peso:

0.211644 oz

Tags

PHE13009, PHE1, PHE