STD2HNK60Z

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

STMicroelectronics

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-252-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

600 V

Id - Corrente di scarico continua:

2 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

4.8 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

11 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

45 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

SuperMESH

Confezione:

Bobina

Altezza:

2.4 mm

Lunghezza:

6.6 mm

Serie:

STD2HNK60Z

Tipo di transistor:

1 N-Channel Power MOSFET

Larghezza:

6.2 mm

Marca:

STMicroelectronics

Transconduttanza diretta - Min:

1.5 S

Tempo di caduta:

50 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

30 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

23 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

10 ns

Unità di peso:

0.139332 oz

Tags

STD2H, STD2, STD