BFQ31ATA

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-23-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

15 V

Collettore-tensione di base VCBO:

30 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

3 V

Corrente massima del collettore CC:

0.1 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

600 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

BFQ31

Altezza:

1 mm

Lunghezza:

3.05 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

1.4 mm

Marca:

Diodi incorporati

Corrente continua del collettore:

0.1 A

Pd - Dissipazione di potenza:

330 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Qualificazione:

AEC-Q101

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.000282 oz

Tags

BFQ31AT, BFQ31A, BFQ31, BFQ3, BFQ