DSS5240V-7

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-563-6

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

- 40 V

Collettore-tensione di base VCBO:

- 40 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

- 5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

- 530 mV

Corrente massima del collettore CC:

- 3 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

150 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

DSS52

Guadagno di corrente CC hFE Max:

300 at 1 mA, 5 V

Altezza:

0.6 mm

Lunghezza:

1.6 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

1.2 mm

Marca:

Diodi incorporati

Guadagno base/collettore DC hfe min:

50 at 2 A, 5 V

Pd - Dissipazione di potenza:

600 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.000106 oz

Tags

DSS524, DSS52, DSS5, DSS