ZXTDC3M832TA

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

MLP-832-8

Polarità del transistor:

NPN, PNP

Configurazione:

Dual

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

50 V, 40 V

Collettore-tensione di base VCBO:

100 V, 50 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

7.5 V

Corrente massima del collettore CC:

4 A, 3 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

165 MHz, 190 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Altezza:

1 mm

Lunghezza:

3 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

2 mm

Marca:

Diodi incorporati

Pd - Dissipazione di potenza:

3000 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Tags

ZXTD, ZXT