DMN3730UFB4-7B

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

X2-DFN1006-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

910 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

460 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

450 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

8 V

Qg - Carica cancello:

1.6 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

0.69 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Marca:

Diodi incorporati

Transconduttanza diretta - Min:

40 mS

Tempo di caduta:

13 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

2.8 ns

Quantità confezione di fabbrica:

10000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

38 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

3.5 ns

Unità di peso:

0.000035 oz

Tags

DMN3730UFB4, DMN3730UF, DMN3730U, DMN3730, DMN37, DMN3, DMN