SIRA00DP-T1-GE3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Vishay

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

E

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

PowerPAK-SO-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

100 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

830 uOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V, - 16 V

Qg - Carica cancello:

220 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

104 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

TrenchFET, PowerPAK

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.04 mm

Lunghezza:

6.15 mm

Serie:

SIGNORE

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

5.15 mm

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconduttanza diretta - Min:

140 S

Tempo di caduta:

11 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

14 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

67 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

18 ns

Parte # Alias:

SIRA00DP-GE3

Unità di peso:

0.017870 oz

Tags

SIRA00DP-T1, SIRA00DP-T, SIRA00, SIRA0, SIRA, SIR