STGWT40H60DLFB

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

STMicroelectronics

Categoria di prodotto:

Transistor IGBT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Pacchetto/custodia:

TO-3P

Stile di montaggio:

Foro passante

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

600 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

1.6 V

Tensione massima dell'emettitore di gate:

20 V

Corrente continua del collettore a 25 C:

80 A

Pd - Dissipazione di potenza:

283 W

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Serie:

STGWT40H60DLFB

Confezione:

Tubo

Corrente continua del collettore Ic Max:

40 A

Marca:

STMicroelectronics

Corrente di dispersione gate-emettitore:

250 nA

Tipologia di prodotto:

Transistor IGBT

Quantità confezione di fabbrica:

300

sottocategoria:

IGBT

Unità di peso:

0.238311 oz

Tags

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