STB8NM60T4

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

STMicroelectronics

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-263-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

600 V

Id - Corrente di scarico continua:

8 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

900 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

100 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

MDmesh

Confezione:

Bobina

Altezza:

4.6 mm

Lunghezza:

10.4 mm

Serie:

STB8NM60

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

MOSFET

Larghezza:

9.35 mm

Marca:

STMicroelectronics

Tempo di caduta:

10 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

10 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

23 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

14 ns

Unità di peso:

0.139332 oz

Tags

STB8NM60T, STB8NM, STB8N, STB8, STB