ZXTDA1M832TA

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

T

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

MLP-832-8

Polarità del transistor:

NPN, PNP

Configurazione:

Dual

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

15 V, 12 V

Collettore-tensione di base VCBO:

40 V, 20 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

7.5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

240 mV

Corrente massima del collettore CC:

5 A, 4.4 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

110 MHz, 120 MHz

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

200

Altezza:

1 mm

Lunghezza:

3 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

2 mm

Marca:

Diodi incorporati

Corrente continua del collettore:

4.5 A, - 4 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

200 at 10 mA, 2 V at NPN, 300 at 200 mA, 2 V at NPN, 200 at 3 A, 2 V at NPN, 150 at 5 A, 2 V at NPN, 300 at 10 mA, 2 V at PNP, 300 at 100 mA, 2 V at PNP, 180 at 2.5 A, 2 V at PNP, 60 at 8 A, 2 V at PNP, 45 at 10 A, 2 V at PNP

Pd - Dissipazione di potenza:

1.5 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Tags

ZXTDA1M, ZXTDA1, ZXTDA, ZXTD, ZXT