APT94N65B2C3G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Microchip

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

T-MAX-3

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

650 V

Id - Corrente di scarico continua:

94 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

30 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

580 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

833 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Tubo

Marca:

Microchip / Microsemi

Transconduttanza diretta - Min:

-

Tempo di caduta:

167 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

59 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

498 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

32 ns

Tags

APT94N65B, APT94N65, APT94, APT9, APT