FZT788ATA

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-223-4

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

- 0.5 V

Collettore-tensione di base VCBO:

- 15 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

- 0.5 V

Corrente massima del collettore CC:

3 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

150 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

FZT788

Altezza:

1.65 mm

Lunghezza:

6.7 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

3.7 mm

Marca:

Diodi incorporati

Guadagno base/collettore DC hfe min:

280 at 10 mA, 2 V, 290 at 500 mA, 2 V, 300 at 1 A, 2 V, 200 at 5 A, 2 V, 60 at 20 A, 2 V

Pd - Dissipazione di potenza:

2 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.003951 oz

Tags

FZT788, FZT78, FZT7, FZT