DMHC4035LSDQ-13

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SO-8

Numero di canali:

4 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

40 V

Id - Corrente di scarico continua:

4.5 A, 3.7 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

26 mOhms, 49 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V, 3 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

12.5 nC, 11.1 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.5 W

Configurazione:

Quad

Modalità canale:

Aumento

Qualificazione:

AEC-Q101

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

2 N-Channel, 2 P-Channel

Marca:

Diodi incorporati

Tempo di caduta:

5.5 ns, 15.3 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

2.6 ns, 2.9 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

15 ns, 36.3 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

3.1 ns, 3.6 ns

Unità di peso:

0.002610 oz

Tags

DMHC, DMH