SQ2398ES-T1_GE3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Vishay

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-23-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

1.6 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

300 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

2.3 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Qualificazione:

AEC-Q101

Nome depositato:

TrenchFET

Confezione:

Bobina

Serie:

SQ

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconduttanza diretta - Min:

3 S

Tempo di caduta:

17 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

18 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

7 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

5 ns

Unità di peso:

0.000282 oz

Tags

SQ2398, SQ239, SQ23, SQ2