DMN2004DWK-7

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-363-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

540 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

550 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

500 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

8 V

Qg - Carica cancello:

0.53 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

200 mW

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

1 mm

Lunghezza:

2.2 mm

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Serie:

DMN2004

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Larghezza:

1.35 mm

Marca:

Diodi incorporati

Tempo di caduta:

10.5 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

7.3 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

13.8 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

4.1 ns

Unità di peso:

0.000212 oz

Tags

DMN2004DW, DMN2004D, DMN2004, DMN200, DMN20, DMN2, DMN