APT75GP120B2G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Microchip

Categoria di prodotto:

Transistor IGBT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Pacchetto/custodia:

T-Max-3

Stile di montaggio:

Foro passante

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

1.2 kV

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

3.3 V

Tensione massima dell'emettitore di gate:

30 V

Corrente continua del collettore a 25 C:

100 A

Pd - Dissipazione di potenza:

1.042 kW

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Confezione:

Tubo

Corrente continua del collettore Ic Max:

100 A

Altezza:

5.31 mm

Lunghezza:

21.46 mm

Intervallo operativo di temperatura:

- 55 C to + 150 C

Larghezza:

16.26 mm

Marca:

Microchip / Microsemi

Corrente continua del collettore:

100 A

Corrente di dispersione gate-emettitore:

100 nA

Tipologia di prodotto:

Transistor IGBT

Quantità confezione di fabbrica:

1

sottocategoria:

IGBT

Nome depositato:

POWER MOS 7 IGBT

Tags

APT75GP, APT75G, APT75, APT7, APT