STW19NM60N

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

STMicroelectronics

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-247-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

600 V

Id - Corrente di scarico continua:

13 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

260 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

25 V

Qg - Carica cancello:

35 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

110 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Qualificazione:

AEC-Q101

Nome depositato:

MDmesh

Confezione:

Tubo

Serie:

STW19NM60N

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

STMicroelectronics

Tempo di caduta:

25 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

15 ns

Quantità confezione di fabbrica:

600

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

55 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

12 ns

Unità di peso:

1.340411 oz

Tags

STW19, STW1, STW