STW19NM50N

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

STMicroelectronics

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-247-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

500 V

Id - Corrente di scarico continua:

14 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

250 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

4 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

2 V

Qg - Carica cancello:

34 nC

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

110 W

Configurazione:

Separare

Nome depositato:

MDmesh

Confezione:

Tubo

Serie:

STW19NM50N

Tipo di transistor:

Canale N

Tipo:

MOSFET di potenza MDmesh II

Marca:

STMicroelectronics

Tempo di caduta:

17 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

16 ns

Quantità confezione di fabbrica:

600

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

61 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

12 ns

Unità di peso:

1.340411 oz

Tags

STW19, STW1, STW