IRF1312PBF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-220-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

80 V

Id - Corrente di scarico continua:

95 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

10 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

93 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

210 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Tubo

Altezza:

15.65 mm

Lunghezza:

10 mm

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

MOSFET di potenza HEXFET

Larghezza:

4.4 mm

Marca:

Infineon / IR

Tempo di caduta:

51 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

130 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

47 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

25 ns

Parte # Alias:

SP001564478

Unità di peso:

0.211644 oz

Tags

IRF1312, IRF131, IRF13, IRF1, IRF