PBSS5480X,135

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Nexperia

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

UPAK-3

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

80 V

Collettore-tensione di base VCBO:

80 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Corrente massima del collettore CC:

4 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

125 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

200 at 500 mA, 2 V

Altezza:

1.6 mm

Lunghezza:

4.6 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

2.6 mm

Marca:

Nexperia

Guadagno base/collettore DC hfe min:

200 at 500 mA, 2 V, 180 at 1 A, 2 V, 150 at 2 A, 2 V, 80 at 4 A, 2 V

Pd - Dissipazione di potenza:

2500 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Qualificazione:

AEC-Q101

Quantità confezione di fabbrica:

4000

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

/T3 PBSS5480X

Unità di peso:

0.035274 oz

Tags

PBSS548, PBSS54, PBSS5, PBSS, PBS