DMS3016SSS-13

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SO-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

9.8 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

9 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

12 V

Qg - Carica cancello:

43 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.54 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Serie:

DMS30

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Diodi incorporati

Tempo di caduta:

4.69 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

8.73 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

36.41 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

6.62 ns

Unità di peso:

0.002610 oz

Tags

DMS3016SS, DMS3016, DMS301, DMS30, DMS3, DMS