SIZF300DT-T1-GE3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Vishay

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

PowerPAIR3x3-4

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

75 A, 141 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

4.5 mOhms, 1.84 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V, 1.1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

- 16 V, 20 V, - 12 V, 16 V

Qg - Carica cancello:

22 nC, 62 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

74 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

TrenchFET

Confezione:

Bobina

Serie:

TAGLIA

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconduttanza diretta - Min:

60 S, 90 S

Tempo di caduta:

7 ns, 12 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

40 ns, 53 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

23 ns, 30 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

17 ns, 25 ns

Tags

SIZF, SiZ