DMN6066SSS-13

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SO-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

60 V

Id - Corrente di scarico continua:

3.7 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

48 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

5.4 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.56 W

Configurazione:

Dual

Confezione:

Bobina

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Serie:

DMN60

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Marca:

Diodi incorporati

Transconduttanza diretta - Min:

19.2 S

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Unità di peso:

0.002610 oz

Tags

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